图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FDD86113LZ |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 104 mOhm @ 4.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 285pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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